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[发明专利]一种利用离子注入诱导BiFeO3-CN201811554397.3有效
发明人：陈德杨;陈超;李才文;邓雄;孙菲;高兴森 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：本发明提供一种利用离子注入诱导BiFeO3薄膜可逆相变的方法，对BiFeO3薄膜注入氦离子，使其晶格随氦离子注入量的增加逐渐按菱方相→类四方相→四方相→超四方相的顺序发生转变，再进行退火处理，使其晶格按超四方相→四方相→类四方相→菱方相的顺序发生转变。通过将氦离子注入包括菱方相的BiFeO3薄膜中，氦离子进入BiFeO3的晶格间隙，给菱方相的晶格的ab面提供应力，使c轴拉伸，促使菱方相逐渐转变为类四方相和/或四方相和/或超四方相。再经过退火处理并合理控制退火温度和退火时间可有效激发氦离子溢出晶格间隙，使类四方相和/或四方相和/或超四方相恢复成菱方相，实现了类四方相和/或四方相和/或超四方相与菱方相之间的可控、可逆转变。
一种利用离子注入诱导 bifeo base sub

[发明专利]四方相碲化亚铜及其合成方法-CN202111510313.8有效
发明人：张凯;戴永平 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种四方相碲化亚铜及相可控合成四方相、六方相碲化亚铜的方法。所述方法包括：提供铜源、碲粉和衬底；将所述铜源、碲粉和衬底置于化学气相沉积反应腔室中，并通入输运气体；在660～690℃的生长温度下，于所述衬底上生成四方相二维碲化亚铜；或在700～800℃的生长温度下，于所述衬底上生成六方相二维碲化亚铜。本发明提供的相可控合成四方相、六方相碲化亚铜的方法，采用化学气相沉积法通过对生长温度的调控能够调控合成物的物相，能够可控生长大尺寸的二维碲化亚铜单晶；并且该方法能够合成四方相碲化亚铜，该四方相结构为碲化亚铜的全新的原子相结构
四方相碲化亚铜及其合成方法

[发明专利]一种片状AlON/四方相ZrO₂复合材料的制备方法-CN201310611416.2无效
发明人：唐竹兴 -专利权人：山东理工大学
申请日： 2013-11-28 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： C04B35/48 文献下载
摘要：一种片状AlON/四方相ZrO2复合材料的制备方法，其特征在于，采用片状AlON粉体与四方相ZrO2粉体复合经冷等静压成型后热压烧成片状AlON/四方相ZrO2复合材料，其中，四方相ZrO2粉体为氧化钇部分稳定氧化锆粉体本发明制备的片状AlON/四方相ZrO2复合材料，具有可加工陶瓷性，片状AlON/四方相ZrO2相分布均匀、含量可控，可加工性能、力学性能和热学性能优良。
一种片状 alon 四方 zro sub 复合材料制备方法

[发明专利]一种高四方相钛酸钡粉末及其制备方法、钛酸钡厚膜陶瓷及其制备方法和应用-CN201810504005.6有效
发明人：邹艺轩;鲁圣国 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2018-05-23 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明涉及介电材料技术领域，具体涉及一种高四方相钛酸钡粉末及其制备方法、钛酸钡厚膜陶瓷及其制备方法和应用。本发明提供了一种高四方相钛酸钡粉末，所述高四方相钛酸钡粉末的比表面为7.5m2/g～9.5m2/g；所述高四方相钛酸钡粉末的粒径为50nm～100nm；所述高四方相钛酸钡粉末的高四方率c/a为1.0072～1.0092；所述高四方相钛酸钡粉末的四方相含量为65％～80％。本发明高四方相钛酸钡粉末粒径小且活性高，能够用于制备超薄厚膜陶瓷。
一种四方钛酸钡粉末及其制备方法陶瓷应用

[发明专利]一种立方相转换四方相BaTiO3-CN202310815101.3在审
发明人：胡登卫;荆飞;陈诚;马蓉;赵卫星;顾洪溪 -专利权人：宝鸡文理学院
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：本发明属于压电纳米材料技术领域，公开了一种立方相转换四方相BaTiO3晶体的方法。Sub>0.27Ti1.73O4为钛源，八水合氢氧化钡为钡源，氢氧化钠为矿化剂，以溶剂热反应制备立方相BaTiO3晶体，并通过煅烧工艺使钛酸钡从立方相转化为四方相，实现了BaTiO3晶体在低温短时间条件下的立方相与四方相的转变运用本发明制备的四方相BaTiO3晶体具有四方相含量高、颗粒小、粒径均匀等特点，制备过程温度低、时间短、条件较为温和等优点，获得的四方相BaTiO
一种立方转换四方 batio base sub

[发明专利]一种酒石酸工艺制备纳米四方相钛酸钡粉体的方法-CN201910639185.3在审
发明人：赵昀云;徐华蕊;张秀云;朱归胜 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明涉及纳米介电材料制备技术领域，尤其涉及一种酒石酸工艺制备纳米四方相钛酸钡粉体的方法，以四氯化钛为钛源、氯化钡为钡源、酒石酸为沉淀剂及表面活性剂，经滴定沉淀反应、液相均匀反应或陈化处理、洗涤过滤、粉碎干燥、热分解、粉碎后制备得到纳米四方相钛酸钡粉体。本发明的一种酒石酸工艺制备纳米四方相钛酸钡粉体的方法，工艺简单、操作容易，制备得到的四方相纳米钛酸钡粉体四方相高，分散性好，粒径均匀可控，适用于大规模生产。
四方相钛酸钡粉体酒石酸工艺制备纳米四方相制备制备技术领域表面活性剂纳米钛酸钡沉淀反应陈化处理分散性好粉碎干燥介电材料均匀反应粒径均匀四氯化钛沉淀剂氯化钡热分解钡源滴定粉体可控钛源洗涤过滤

[发明专利]制备四方相室温多铁性材料BiFeO₃的方法-CN201210584892.5有效
发明人：徐庆宇;袁学勇 -专利权人：东南大学
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备四方相室温多铁性材料BiFeO3的方法。具体步骤为：在（001）LaAlO3单晶衬底上，先沉积一层NdAlO3薄膜作为缓冲层，然后沉积BiFeO3薄膜从而制备出单相的四方相结构的BiFeO3。本发明有效的克服了LaAlO3等衬底与四方相BiFeO3的晶格失配导致的晶格弛豫引起的相分离，能够制备出单相的四方相BiFeO3薄膜。
制备四方室温多铁性材料 bifeo sub 方法

[发明专利]一种亚微米级钛酸钡粉体超细微颗粒制备方法-CN201710800993.4有效
发明人：严回;胡石磊;韩晖;王利;秦云峰;刘强;王永和 -专利权人：安徽中创电子信息材料有限公司;蚌埠中恒新材料科技有限责任公司;蚌埠玻璃工业设计研究院
申请日： 2017-09-07 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明涉及一种亚微米级钛酸钡粉体超细微颗粒制备方法，包括以下步骤：制备纳米级钛源；去除钛源中的氯离子；制备溶胶；在反应釜中制备立方相钛酸钡浆料；洗涤立方相钛酸钡浆料；制备初步团聚的四方相钛酸钡粉体，制备四方相钛酸钡粉体本发明的优点：本发明合成的四方相钛酸钡颗粒均匀，完整度好，分散度为1.01‑1.2，平均粒径大小和比表面积可控，四方相结晶率大于等于1.010，纯度高，有效解决现工业生产工艺的不足，提高MLCC产品基础粉的成品率
一种微米钛酸钡粉体超细微颗粒制备方法

[发明专利]一种一维四方相钛酸铅单晶纳米纤维/聚偏氟乙烯复合薄膜的制备方法-CN201410055997.0无效
发明人：韩高荣;虞婷婷;任召辉;尹思敏;杨鑫;李翔;徐刚;沈鸽 -专利权人：浙江大学
申请日： 2014-02-19 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种一维四方相钛酸铅单晶纳米纤维/聚偏氟乙烯复合薄膜的制备方法，该方法首先采用高分子辅助水热反应法及高温煅烧法制备出一维四方相钛酸铅单晶纳米纤维，其次将四方相钛酸铅单晶纳米纤维溶于二甲基甲酰胺中将初步制备好的复合薄膜在60-90℃下烘干，得到一维四方相钛酸铅单晶纳米纤维/聚偏氟乙烯复合薄膜。本发明工艺过程简单，易于控制，无污染，成本低，易于大规模生产；制得的一维四方相钛酸铅单晶纳米纤维长径比大，在复合薄膜中分散均匀；制得的一维四方相钛酸铅单晶纳米纤维/聚偏氟乙烯复合薄膜均匀度高，介电性能良好
一种四方相钛酸铅单晶纳米纤维聚偏氟乙烯复合薄膜制备方法

[发明专利]一种四方相纳米钛酸钡的制备方法-CN202010683854.X在审
发明人：施利毅;赵尹;付绍岩;袁帅 -专利权人：上海大学（浙江·嘉兴）新兴产业研究院
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：本发明属于电子陶瓷粉体材料技术领域，特别涉及一种四方相纳米钛酸钡的制备方法。本发明提供了一种四方相纳米钛酸钡的制备方法，包括以下步骤：将二氧化钛在无水乙醇中进行机械活化，得到活化二氧化钛浆料；将所述活化二氧化钛浆料与可溶性钡源混合，在保护气体气氛条件下向所得钡钛混合浆料中加入矿化剂，得到待反应混合料；将所述待反应混合料预热后升温进行水热反应，得到所述四方相纳米钛酸钡。实施例测试结果表明，由本发明提供的制备方法得到的四方相纳米钛酸钡微观形貌规整、粒度均匀、颗粒细小、分散性好、结晶性能优良，具有高四方相。
一种四方纳米钛酸钡制备方法

[发明专利]一种高四方率的四方相钛酸钡的制备方法-CN201510631807.X在审
发明人：廖培龙;曹江;廖柳辉;杨雪梅;陈良 -专利权人：深圳市星源材质科技股份有限公司
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：本发明采用溶剂热法，先在相对较低温度下，利用加压装置使得反应釜内压力高，从而在反应较短时间得到粒径小(比表面在25～50m²/g，平均粒径在30～60nm范围内)，烧结活性高的立方相(伪四方相)钛酸钡，再通过较低温度的煅烧最终合成四方相钛酸钡。合成的四方相钛酸钡颗粒粒径小，比表面为4.5～8m²/g，平均粒径在160～220nm，四方率高(c/a≥1.01)，纯度高，可以直接应用于小尺寸的电容器等电子元器件。本发明的目的是提供一种颗粒分散均匀、粒径小，高纯度，高四方率(c/a≥1.01)的钛酸钡制备方法，该方法能够解决现有工业生产工艺上的不足，减少能耗、简化工艺、提升生产效率，所制备的四方相钛酸钡纯度高，粒径小、四方率高，分散性高，粒径分布窄。
一种四方钛酸钡制备方法

[发明专利]一种稀土掺杂YPO4晶体晶相从六方相到四方相的转变及其发光性能的提升方法-CN201510278354.7有效
发明人：刘运;李朋;王晨昱;郭雅欣;史晓磊 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2015-05-27 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： C09K11/81 文献下载
摘要：本发明涉及一种稀土掺杂YPO4晶体晶相从六方相到四方相的转变及其发光性能的提升方法，采用水热法，用Na3cit或EDTA作为螯合剂，首先合成了六方相的稀土Eu离子掺杂YPO4晶体。通过调节起始反应溶液中PO43‑RE3+Cit3‑/EDTA的比例，实现了YPO4Eu晶体的晶相从六方相到四方相的可控转变。与此同时，产物的发光性能也大幅度提高。采用水热法实现YPO4晶体晶相的转变，操作简单，可选择性的合成不同晶相的Eu掺杂YPO4晶体。且制得的四方相的Eu掺杂YPO4晶体较六方相的晶体发光性能大幅度提高，本方法适用于大面积推广。
一种稀土掺杂 ypo sub 晶体六方相到四方转变及其发光性能提升方法

[发明专利]一种用于催化析氢的四方相CoSe及制备方法-CN201810715957.2有效
发明人：林志萍;钟文武;申士杰;王宗鹏;徐爱娇;詹白勺 -专利权人：台州学院
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： C25B11/06 文献下载
摘要：本发明公开一种用于催化析氢反应的四方相CoSe电催化剂的制备方法，包括以下步骤：材料的准备；制备KCo2Se2原材料；制备饱和LiOH溶液；制备四方相CoSe。本发明还公开一种四方相CoSe电催化剂，其采用如上所述的方法制备而成，应用于催化析氢领域。
一种用于催化四方 cose 制备方法

[发明专利]镓掺杂铁酸铋超四方相外延薄膜及其制备方法和应用-CN201810902993.X有效
发明人：樊贞;谭政伟;田俊江 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明提供一种镓掺杂铁酸铋超四方相外延薄膜及其制备方法和应用，该镓掺杂铁酸铋超四方相外延薄膜的制备方法为S1：将Bi2O3和Ga2O3混合后烧结压制成镓掺杂铁酸铋块；S2：将镓掺杂铁酸铋沉积在衬底上得到镓掺杂铁酸铋超四方相外延薄膜该镓掺杂铁酸铋超四方相外延薄膜可用于制作电容器。本发明将镓掺杂到铁酸铋中，由于镓原子替代铁原子，使氧八面体畸变程度增大，c轴方向的一个氧原子向中心镓原子靠拢，而另一个则远离中心镓原子，氧八面体向氧四面锥转变，从而拉长c轴方向长度，使超四方相稳定化，使铁酸铋超四方相薄膜不受薄膜厚度
掺杂铁酸铋超四方外延薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种超细立方相钛酸钡粉体的四方相转变工艺-CN200910017693.4有效
发明人：张曦;张兵;宋锡滨 -专利权人：山东国瓷功能材料有限公司
申请日： 2009-08-24 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： C04B35/626 文献下载
摘要：本发明涉及一种超细立方相钛酸钡粉体的四方相转变工艺，生产方法为：(1)将室温下处于亚稳态的立方相超细钛酸钡粉体，在不导致粒径明显长大的煅烧温度和煅烧时间条件下，进行煅烧处理；(2)将煅烧处理后的钛酸钡粉体与复配溶剂混合，经搅拌混合均匀后的浆料在密闭微波高压反应釜中反应；(3)将处理后的粉体经纯水洗涤、干燥，即可得到高质量四方相钛酸钡粉体；不仅可以使超细立方相钛酸钡粉体发生四方相转变，而且可以避免传统煅烧热处理相变工艺过程中必然发生的晶粒长大和严重的团聚现象，获得高质量的四方相钛酸钡粉体。
一种立方钛酸钡四方转变工艺

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